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車規(guī)級IGBT/SiC MOSFET模塊 D3模塊適配新能源汽車 800V 高壓平臺，覆蓋驅(qū)動逆變器、OBC 及 DC/DC 核心場景。采用低雜散電感封裝與 Si?N?陶瓷基板，開關(guān)損耗較傳統(tǒng) IGBT 降低 78%，助力逆變器效率達 99%，續(xù)航提升 5%-10%。支持高頻運行，可縮小散熱與無源元件體積，滿足車規(guī)可靠性要求。

車規(guī)級IGBT/SiC MOSFET D2 符合 AEC-Q104 標準，開關(guān)頻率達 50kHz，-55℃至 175℃寬溫穩(wěn)定運行。額定電壓 650V-1200V、電流 200A-500A，損耗較傳統(tǒng) IGBT 降 35%。適配新能源汽車主逆變器、OBC、DC/DC 轉(zhuǎn)換器，提升整車能效與續(xù)航，抗振性達車規(guī)級。