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南瑞半導(dǎo)體PRODUCTSERIES產(chǎn)品聚焦創(chuàng)新科技與實(shí)用美學(xué)，系列產(chǎn)品以高效能、輕量化為核心。覆蓋多場景需求，兼具品質(zhì)穩(wěn)定性與人性化設(shè)計，從細(xì)節(jié)處提升使用體驗(yàn)，為用戶提供可靠、便捷的解決方案。

車規(guī)級IGBT/SiC MOSFET模塊 D3模塊適配新能源汽車 800V 高壓平臺，覆蓋驅(qū)動逆變器、OBC 及 DC/DC 核心場景。采用低雜散電感封裝與 Si?N?陶瓷基板，開關(guān)損耗較傳統(tǒng) IGBT 降低 78%，助力逆變器效率達(dá) 99%，續(xù)航提升 5%-10%。支持高頻運(yùn)行，可縮小散熱與無源元件體積，滿足車規(guī)可靠性要求。

車規(guī)級IGBT/SiC MOSFET D2 符合 AEC-Q104 標(biāo)準(zhǔn)，開關(guān)頻率達(dá) 50kHz，-55℃至 175℃寬溫穩(wěn)定運(yùn)行。額定電壓 650V-1200V、電流 200A-500A，損耗較傳統(tǒng) IGBT 降 35%。適配新能源汽車主逆變器、OBC、DC/DC 轉(zhuǎn)換器，提升整車能效與續(xù)航，抗振性達(dá)車規(guī)級。

工業(yè)級IGBT模塊 S4 是 S3 進(jìn)階款，開關(guān)頻率達(dá) 40kHz（較 S3 升 14%），-40℃至 165℃寬溫運(yùn)行，抗浪涌能力增 30%。額定電壓 600V-1700V、電流 180A-450A，Vce (sat) 低至 1.3V。適配超大功率變頻器、大型儲能逆變器，兼容 S3 安裝，能效與穩(wěn)定性雙升。

工業(yè)級IGBT模塊 S3 是 S2 進(jìn)階款，開關(guān)頻率提至 35kHz（較 S2 升 17%），-40℃至 160℃寬溫運(yùn)行，抗浪涌能力增 25%。額定電壓 600V-1700V、電流 150A-400A，Vce (sat) 低至 1.4V。適配大功率變頻器、儲能逆變器，兼容 S2 安裝，能效再升級。

工業(yè)級IGBT模塊 S2是 S1 升級款，開關(guān)頻率達(dá) 30kHz（較 S1 升 15%），-40℃至 155℃寬溫穩(wěn)定運(yùn)行，抗擾性強(qiáng)。額定電壓 600V-1700V、電流 120A-350A，Vce (sat) 低至 1.5V。適配變頻器、充電樁等，可替換 S1，提升設(shè)備效率。