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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
南瑞半導(dǎo)體PRODUCTSERIES產(chǎn)品聚焦創(chuàng)新科技與實(shí)用美學(xué)，系列產(chǎn)品以高效能、輕量化為核心。覆蓋多場(chǎng)景需求，兼具品質(zhì)穩(wěn)定性與人性化設(shè)計(jì)，從細(xì)節(jié)處提升使用體驗(yàn)，為用戶提供可靠、便捷的解決方案。
| 品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,生物產(chǎn)業(yè),能源,汽車及零部件,電氣 |
一、產(chǎn)品性能：
南瑞半導(dǎo)體 PRODUCTSERIES涵蓋 IGBT/FRD（650V-6500V）與 SiC MOSFET（1200V-3300V）兩大核心系列，主打高壓自主可控與高效可靠。SiC 器件采用低比導(dǎo)微元胞設(shè)計(jì)，比導(dǎo)通電阻低至 3.1mΩ?cm2，開關(guān)損耗較一代降 25%，結(jié)溫耐受達(dá) 175℃，通過 AEC-Q101 車規(guī)認(rèn)證；IGBT 模塊突破 6500V/3000A 高壓規(guī)格，4500V/3000A 已掛網(wǎng)應(yīng)用，國產(chǎn)化率超 70%。
具備強(qiáng)魯棒性，通過 HTRB、HV-H3TRB 可靠性測(cè)試，抗干擾與散熱性能優(yōu)異，適配 - 40℃~+125℃寬溫場(chǎng)景，廣泛應(yīng)用于特高壓、新能源、儲(chǔ)能、新能源汽車等領(lǐng)域，誤失效率≤0.001%。
二、核心參數(shù)：
電壓覆蓋：IGBT 650V-6500V，SiC MOSFET 1200V-3300V，電流規(guī)格 0.5A-5000A；
關(guān)鍵性能：SiC 開關(guān)頻率≤40kHz，IGBT 模塊短路耐受時(shí)間≥10μs，效率≥99.2%；
封裝接口：含車規(guī)級(jí) / 工業(yè)級(jí)模塊、分立器件，支持 QFN / 壓接式封裝，兼容 15V/18V 驅(qū)動(dòng)平臺(tái)；
可靠性：MTBF≥10?小時(shí)，良率達(dá) 90%，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，支持 PMBus 通信與故障錄波。
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