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工業(yè)級(jí)IGBT模塊 S4 是 S3 進(jìn)階款，開(kāi)關(guān)頻率達(dá) 40kHz（較 S3 升 14%），-40℃至 165℃寬溫運(yùn)行，抗浪涌能力增 30%。額定電壓 600V-1700V、電流 180A-450A，Vce (sat) 低至 1.3V。適配超大功率變頻器、大型儲(chǔ)能逆變器，兼容 S3 安裝，能效與穩(wěn)定性雙升。

工業(yè)級(jí)IGBT模塊 S3 是 S2 進(jìn)階款，開(kāi)關(guān)頻率提至 35kHz（較 S2 升 17%），-40℃至 160℃寬溫運(yùn)行，抗浪涌能力增 25%。額定電壓 600V-1700V、電流 150A-400A，Vce (sat) 低至 1.4V。適配大功率變頻器、儲(chǔ)能逆變器，兼容 S2 安裝，能效再升級(jí)。

工業(yè)級(jí)IGBT模塊 S2是 S1 升級(jí)款，開(kāi)關(guān)頻率達(dá) 30kHz（較 S1 升 15%），-40℃至 155℃寬溫穩(wěn)定運(yùn)行，抗擾性強(qiáng)。額定電壓 600V-1700V、電流 120A-350A，Vce (sat) 低至 1.5V。適配變頻器、充電樁等，可替換 S1，提升設(shè)備效率。

工業(yè)級(jí)IGBT模塊 S1 是高效電力變換器件，開(kāi)關(guān)頻率達(dá) 26kHz，-40℃至 155℃寬溫穩(wěn)定運(yùn)行。額定電壓 600V-1700V、電流 100A-300A，Vce (sat) 低至 1.6V，功耗優(yōu)。采用標(biāo)準(zhǔn)封裝，適配工業(yè)變頻器、儲(chǔ)能逆變器及伺服系統(tǒng)，提升設(shè)備效率與可靠性。

工業(yè)級(jí)IGBT模塊 H2 是高功率電力變換優(yōu)選器件，開(kāi)關(guān)頻率達(dá) 32kHz，-40℃至 160℃寬溫穩(wěn)定運(yùn)行。額定電壓 800V-1700V、電流 150A-400A，Vce (sat) 低至 1.4V，功耗更優(yōu)。采用強(qiáng)化絕緣封裝，適配大功率變頻器、儲(chǔ)能逆變器及重型工業(yè)伺服系統(tǒng)，提升設(shè)備效率與可靠性。?

工業(yè)級(jí)IGBT模塊 H1 是高功率電力變換核心器件，開(kāi)關(guān)頻率達(dá) 28kHz，-40℃至 155℃寬溫穩(wěn)定運(yùn)行。額定電壓 800V-1700V、電流 120A-350A，Vce (sat) 低至 1.5V，功耗優(yōu)。采用高絕緣封裝，適配變頻器、儲(chǔ)能逆變器及重型伺服系統(tǒng)，提升設(shè)備效率與穩(wěn)定性。